Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
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Verlustleistung W (DC)
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Artikelbeschreibung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
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Verlustleistung W (DC)
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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250NPBF
Bestellnr.:
 24S3301
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFP250NPBF
Sofort verfügbar: 5.258 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.135 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,07 € *
1 Stk.
2,0706 €
25 Stk.
1,7493 €
100 Stk.
1,6184 €
250 Stk.
1,5470 €
1000 Stk.
1,4161 €
N-Kanal
200 V
30 A
75 mΩ
TO-247
214 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 89 A, TO-220, IRL3705NPBF
Bestellnr.:
 24S3375
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRL3705NPBF
Sofort verfügbar: 439 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.560 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,59 € *
1 Stk.
1,5946 €
50 Stk.
1,3566 €
100 Stk.
1,3090 €
200 Stk.
1,2495 €
N-Kanal
55 V
89 A
10 mΩ
TO-220
170 W
THT
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 0.23 A, SOT-23, BSS138N
Bestellnr.:
 17S8698
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BSS138N
Sofort verfügbar: 14.595 Stk. Ab Hersteller: 42 Wochen ** Nächste Lieferung: 3.000 Stk. bestätigt für 04.10.2024
Gesamtpreis: 0,23 € *
1 Stk.
0,2321 €
10 Stk.
0,1452 €
50 Stk.
0,1047 €
250 Stk.
0,0869 €
1000 Stk.
0,0750 €
N-Kanal
60 V
0.23 A
3.5 Ω
SOT-23
0.36 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
Bestellnr.:
 24S3377
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ24NPBF
Sofort verfügbar: 445 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.430 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,86 € *
5 Stk.
0,5712 €
150 Stk.
0,4879 €
500 Stk.
0,4403 €
1000 Stk.
0,4165 €
N-Kanal
55 V
18 A
105 mΩ
60 mΩ
TO-220
45 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NPBF
Bestellnr.:
 24S3233
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF640NPBF
Sofort verfügbar: 2.132 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.140 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,01 € *
1 Stk.
1,0115 €
10 Stk.
0,7140 €
100 Stk.
0,6188 €
500 Stk.
0,5236 €
1000 Stk.
0,4760 €
N-Kanal
200 V
18 A
150 mΩ
TO-220
150 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF
Bestellnr.:
 31S3090
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF3710PBF
Sofort verfügbar: 35 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.160 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche ** Nächste Lieferung: 20 Stk. bestätigt für 21.05.2024
Gesamtpreis: 1,27 € *
1 Stk.
1,2733 €
100 Stk.
1,1305 €
N-Kanal
100 V
57 A
23 mΩ
TO-220
200 W
THT
-55 °C
175 °C